干货 | 揭开MOS管损坏之谜，终于找到原因了！

Mos开关原理（简略）：Mos是工作电压驱动器型器件，只需栅压和源级间给一个适度工作电压，源级和漏级间通道就产生。这一电流通道的电阻器被变成Mos内电阻，便是导通电阻器。这一内电阻尺寸基本上决策了Mos集成ic能承担的较大导通电流（自然和其他要素相关，最相关的是传热系数），内电阻越小承担电流越大（由于发烫小）。Mos管在控制板电源电路中的运行状态:启用全过程（由截止到导通的衔接全过程）、导通情况、关闭全过程（由导通到截至的衔接全过程）、截至情况。

Mos管烧毁的缘故关键损耗也相匹配这好多个情况，电源开关损耗（启用全过程和关闭全过程），导通损耗，截至损耗（漏电流造成的，这一忽略），也有山崩动能损耗。只需把这种损耗操纵在mos承担规格型号以内，mos即会一切正常工作中，超出承担范畴，即产生毁坏。而电源开关损耗通常超过导通情况损耗，不一样mos这一差别很有可能非常大。Mos毁坏关键缘故：过电流：不断大电流或一瞬间大型电流造成的结温过高而损坏；过电压：源漏过压穿透、源栅压过电压穿透；静电感应：静电感应穿透，CMOS电源电路都怕静电感应。

第一种：雪崩破坏

假如在漏极-源极间另加超出器件额定值VDSS的电涌工作电压，并且做到击穿场强V(BR)DSS （依据穿透电流其值不一样），并超出一定的动能后就产生毁坏的状况。在物质负荷的电源开关运作断掉时造成的回扫工作电压，或是由漏磁电感器造成的顶峰工作电压超出输出功率MOSFET的漏极额定值抗压并进到穿透区而造成 毁坏的方式会造成山崩毁坏。

第二种：器件发烫毁坏

由超出安全性地区造成发烫而造成 的。发烫的原因分成直流电输出功率和暂态输出功率二种。直流电输出功率缘故：另加直流电输出功率而造成 的损耗造成的发烫导通电阻器RDS(on)损耗（高溫时RDS(on)扩大，造成 一定电流下，功能损耗提升）由漏电流IDSS造成的损耗（和别的损耗对比很小）暂态输出功率缘故：另加单开启单脉冲负荷短路故障电源开关损耗（接入、断掉） *（与温度和输出功率是有关的）内嵌二极管的trr损耗（左右电感的作用短路故障损耗）（与温度和输出功率是有关的）器件一切正常运作时不产生的负荷短路故障等造成的过电流，导致瞬间部分发烫而造成 毁坏。此外，因为发热量不般配或电源开关頻率太高使集成ic不可以一切正常排热时，不断的发烫使温度超出断面温度造成 击穿的毁坏。