H6900是一款适用宽电压键入的电源开关降血压型 DC-DC,芯片内嵌 150V/3A 输出功率 MOS,键入电压可超出 120V。
H6900具备低休眠功能损耗、效率高、低谐波失真、出色的母线槽电压调节率和负荷调节率等特点。适用大电流量輸出,輸出电流量可达到 1.5A 之上。与此同时适用輸出恒流源和輸出恒流电源作用。H6900选用固定不动頻率的 PWM 操纵方法,典型性电源开关頻率为 140KHz。负载的时候会全自动减少电源开关頻率以得到高变换高效率。
H6900內部集成化软起动及其温度保护电源电路,輸出过流保护,过流保护维护等作用,提升可靠性指标。 ESOP8 封裝,散热器内嵌接 VIN 脚。
Layout 电源电路运用设计方案常见问题:
H6900系列产品在通电后,VDD 做到 4.5V 电压,DRV 推动开启 MOS 管,CS 脚位检验 CS 电阻器上的电压,电感电流量线形扩大,CS 电阻器上的电压也线形往上面增,在 CS 电压做到 0.15V 的电压时,DRV 关掉 MOS 管,此 MOS 开的回路如上图所述①鲜红色回路,在 MOS 管关掉后,电感释放出来电流量历经续流二极管 D3/D4,历经输出负载,续流回路如上图所述②淡粉色回路,此2个为的主输出功率回路。
应用 H6900系列产品时关键走线常见问题以下:
① IC 的 VDD 滤波电容 C1 C2 和 VCC 滤波电容要挨近 IC 的 VDD 和 VCC-VSS 脚;
② IC 的 VSS,VCC 和 VDD 电容器接地装置接一起,均为小信号地。CS 接的电阻器的地、电感接的 VSS 为输出功率地,小信号地和输出功率地分离布线,选用点射布线和联接,在 VDD 电容器的负级用星形联接;
③ CS 电阻器取样电阻器要挨近 IC 的 CS 脚位;
④ 输出功率大电流量回路(图中鲜红色①和淡粉色②回路)布线要粗,股票短线,总面积小,走线时尽量别走闭环控制,芯片尽量没有功率大的回路之内,防止电流量涡旋造成的高频率电磁场对芯片小信号有影响;
⑤ MOS 管 DS 极能接个 RC(提议 20 欧,1nF),降低 MOS 管的顶峰电压;
⑥ PCB 走线小信号避开电感 L1 和续流二极管 D3,D4;
⑦ 电感器不能立即接近 IC 或是倒放到 IC 上,防止电感高频率电流量信号对芯片內部小信号的影响;
⑧ 键入和輸出端需串联 0.1~1uF 的瓷片电容,清除高频率杂讯信号,使芯片工作中更为平稳;
⑨ 内嵌 MOS 芯片,电感和续流二极管尽量挨近芯片 SW 脚;
⑩ 内嵌 MOS 芯片,SW 脚接散热底座,在走线全过程中尽量多铺铜,增加芯片排热总面积,但铺铜
需避开芯片的小信号 VSS。
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