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功率半导体简单介绍

文章附图

经常有些人将功率器件和功率半导体混为一谈,实际上功率半导体包含两一部分:功率器件和功率IC,在其中功率器件是功率半导体分立器件的通称,而功率IC则是将功率半导体分立器件与推动/操纵/维护/插口/检测等外围电路集成化而成。

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全部的功率半导体元器件都具备解决高电压、大工作电流的能力,关键用以有很大功率解决要求的电气设备的电磁能转换和控制回路层面,例如:变频式、直流变压器、变流器、功率管理方法,工作电压解决范畴从几十V到好几千V,电流量能力最大可以达到好几千A。


初期的功率半导体是以分立器件的方式发生的,二十世纪50年代,功率二极管、功率三极管问世并关键适用于工业生产和供电系统,因而当初的功率半导体又被称作电力工程电子元器件。


二十世纪60至70年代,可控硅等半导体材料功率器件迅速发展趋势。二十世纪70年代末,平面图型功率MOSFET发展趋势起來。二十世纪八十年代中后期,管沟型功率MOSFET和IGBT逐渐问世,这时二极管和可控硅技术性更加完善,增加值慢慢降低,国际性大型厂生产能力逐渐向以功率MOSFET、IGBT为代表的功率半导体元器件快速迁移,功率半导体宣布进到电子器件运用时期。目前为止,MOSFET和IGBT都也是最关键、使用价值成分最大、技术要求较高的功率器件。但近些年,持续有组织预计以SiC、GaN为代表的第三代半导体器件将站在将来功率半导体流行演出舞台。


为何要关心功率器件领域?

“关心功率器件领域”一方面是技术性要求,另一方面是销售市场室内空间导向性。技术性要求会在文章正文中主要反映,对于销售市场面,依据IHS Markit 数据信息表明,2018年全世界功率器件市场容量约为391亿美元,预估至2021年市场容量将增加至441亿美元,CAGR为4.1%,在其中MOSFET和IGBT有希望变成将来5年提高最迅猛的功率器件。

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